Призначення розробки
Спосіб створення комірки магнітної пам'яті належить до області електрофізичних методів створення елементів магнітної пам'яті з метою покращення їх електрофізичних характеристик та може бути застосований у всьому спектрі приладів, що використовують електронну магнітну пам'ять (мобільні телефони, цифрові фотоапарати та камери, комп'ютерна техніка тощо), основою якої є структура з магнітним тунельним переходом (MTJ-структура).

Короткий опис розробки
Відомі раніше методи створення комірки магнітної пам'яті на основі MTJ-структури мають ряд недоліків, серед яких основним є недостатня надійність зчитування інформації з комірки пам'яті.
В пропонованому способі створення комірки магнітної пам'яті, що включає формування основної структури, основну структуру (MTJ-структуру) формують так, що вона має вольт-амперну характеристику з від'ємним диференційним опором, що забезпечує підвищення надійності комірки магнітної пам'яті за рахунок уникнення створення в ній додаткової структури і фізичних зв’язків між нею та основною структурою.

Переваги пропонованої розробки
Запропонований спосіб створення комірки магнітної пам'яті забезпечує підвищення надійності комірки магнітної пам'яті та зменшення трудомісткості процессу створення комірки магнітної пам’яті.

Галузь можливого застосування: приладобудування.
Запропонований спосіб може бути використаний для розробки сучасних спінтронних приладів і створення високоякісної магнітної пам’яті надвеликої ємності (MRAM).

Ступінь розробки: стадія ДКР.
Необхідний термін для впровадження розробки в серійне виробництво: від 1 до 2-х років.
Строк окупності: ~4 роки.

Умови співпраці
Патентовласник розгляне пропозиції та форми співробітництва з потенційними партнерами з ліцензування або впровадження розробки, як в Україні, так і за кордоном.